Hersteller Produktnummer:
2N6668 TIN/LEAD
Product Overview
Hersteller:
Central Semiconductor Corp
Teilenummer:
2N6668 TIN/LEAD-DG
Beschreibung:
TRANS PNP DARL 80V 10A TO220-3
Detaillierte Beschreibung:
Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 80 V 10 A 20MHz 65 W Through Hole TO-220-3
Inventar:
12790052
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Menge
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2N6668 TIN/LEAD Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Eingle Bipolare Transistoren
Hersteller
Central Semiconductor
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
Transistor-Typ
PNP - Darlington
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
10 A
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
80 V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
-
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
-
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
-
Leistung - Max
65 W
Frequenz - Übergang
20MHz
Betriebstemperatur
-
Art der Montage
Through Hole
Paket / Koffer
TO-220-3
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220-3
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
50
Andere Namen
2N6668CS-DG
2N6668CS
1514-2N6668TIN/LEAD
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
RoHS non-compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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